A.NEMOSFET
B.NDMOSFET
C.PEMOSFET
D.PDMOSFET
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A.該放大器為互導放大器
B.該放大器為互阻放大器
C.理想情況下該放大器輸入電阻極高
D.理想情況下該放大器輸入電阻極低
E.理想情況下該放大器輸出電阻極高
F.理想情況下該放大器輸出電阻極低
已知某N溝道增強型MOS場效應管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
A.狀態(tài)1：飽和區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
B.狀態(tài)1：截止區(qū)；狀態(tài)2：飽和區(qū)
C.狀態(tài)3：變阻區(qū)；狀態(tài)4：飽和區(qū)
D.狀態(tài)3：飽和區(qū)；狀態(tài)4：變阻區(qū)
A.1，100
B.0.5，50
C.1，50
D.2，100
電路如圖所示，要使得晶體管工作在飽和區(qū)，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知該NMOS晶體管的Vt=0.7V，L=1μm，W=32μm，k′n=100μA/V2，忽略溝道長度調制效應，則電阻RS=（）kΩ，RD=（）kΩ。
A.5，3.25
B.4，6
C.3，7
D.3.25，5
A.最高，最高
B.最高，最低
C.最低，最高
D.最低，最低
最新試題
?CS、CG和CD三種組態(tài)中，最適合做電壓放大器的還是CS放大器。
?5.1K±5%歐姆的五環(huán)電阻的色環(huán)序列為（）。
?MOSFET源極漏極間的長度L越大，溝道長度調制效應越明顯。???
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號均通過電容耦合進行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
現(xiàn)在定義了一個1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結果用表達式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個加數(shù)，ci為來自低位的進位，sum為和，co為向高位的進位，如果以此1位加法器構建四位加法器，同時定義頂層模塊中的端口信號和中間變量的定義：下面通過層次調用的方式進行邏輯實現(xiàn)中的表達式正確的是（）。
?CG放大器的性能描述合理的是（）。
CG放大器因其輸入電阻過小，因此沒什么用處。
?TTL或非門組成的邏輯電路如圖所示，當輸入為以下哪種狀態(tài)時會出現(xiàn)冒險現(xiàn)象？（）
用作電壓放大器時，CS放大器不合適的參數(shù)為（）。?
?某次電路實驗中，一同學按如下電路圖連接電路，完成實驗。其中D0，D1端為輸入端，S0與S1為輸出端。在實驗過程中，該同學觀測到輸出端S0，S1端輸出電平分別為邏輯高電平，邏輯低電平。請問此刻電路輸入端D0，D1電平可能分別為（）。