單項(xiàng)選擇題在P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子是（）。

A.電子
B.離子
C.空穴
D.雜質(zhì)


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項(xiàng)選擇題同相比例運(yùn)算電路的重要特點(diǎn)是（）。

A.虛斷、虛地
B.虛斷、虛短
C.虛短、虛地
D.虛斷、虛短、虛地

3.單項(xiàng)選擇題

如下圖所示的電路符號(hào)代表（）管。

A.耗盡型PMOS
B.耗盡型NMOS
C.增強(qiáng)型PMOS
D.增強(qiáng)型NMOS

4.單項(xiàng)選擇題穩(wěn)壓二極管構(gòu)成的穩(wěn)壓電路，其接法是（）。

A.穩(wěn)壓二極管與負(fù)載電阻串聯(lián)
B.穩(wěn)壓二極管與負(fù)載電阻并聯(lián)，再與限流電阻串聯(lián)
C.限流電阻與穩(wěn)壓二極管串聯(lián)后，再與負(fù)載電阻并聯(lián)
D.限流電阻與負(fù)載電阻串聯(lián)后，再與穩(wěn)壓二極管并聯(lián)

5.單項(xiàng)選擇題用模擬式萬用表測量小功率晶體二極管特性的好壞時(shí)，應(yīng)使用的歐姆檔是（）。

A.R*100Ω或R*1K
B.R*1Ω
C.R*10K
D.那個(gè)檔都可以