A.對于二極管的理想模型,正向通電時,導(dǎo)通管壓降為零
B.對于二極管的理想模型,反向偏置時,二極管相當(dāng)于一根導(dǎo)線
C.恒壓降模型就是在二極管的理想模型上加了一個電壓源
D.對于恒壓降模型,當(dāng)二極管導(dǎo)通后,認(rèn)為管壓降是0.7V
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電路如圖所示,下列哪項(xiàng)不正確?()
A.二極管正向?qū)?,電流與電壓呈現(xiàn)指數(shù)關(guān)系
B.二極管是一種線性元件
C.若已知二極管的伏安特性曲線,根據(jù)作圖法,能求得二極管的Q點(diǎn)
D.對于電路有iD=(VDD-vD)/R
A.鍺二極管的門檻電壓,相對硅而言比較小
B.鍺二極管的反向飽和電流,相對硅而言更大一點(diǎn)
C.二極管兩端所加的正向電壓大于門檻電壓時,電流呈現(xiàn)指數(shù)增加
D.二極管兩端施加反向電壓時,會形成反向飽和電流,相當(dāng)于二極管導(dǎo)通
A.大的正向擴(kuò)散電流
B.PN結(jié)導(dǎo)通
C.低電阻
D.高電阻
A.空間電荷區(qū)的電阻率很高
B.PN結(jié)的內(nèi)電場是從P區(qū)指向N區(qū)的
C.由載流子濃度差引起的載流子運(yùn)動,稱為擴(kuò)散運(yùn)動
D.漂移運(yùn)動指的是電場作用所引起的載流子的運(yùn)動
A.N型半導(dǎo)體,自由電子數(shù)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴數(shù)的
B.N型半導(dǎo)體中,自由電子是多子
C.N型半導(dǎo)體中,空穴是多子
D.N型半導(dǎo)體中的空穴主要由熱激發(fā)形成
最新試題
下面哪一項(xiàng)不是集成運(yùn)放的特點(diǎn)?()
關(guān)于耦合電容,下列哪個說法不對?()
電路如圖所示,下列哪個選項(xiàng)是正確的?()
放大電路的輸入電阻與信號源內(nèi)阻無關(guān)。
放大電路中負(fù)載電阻所獲得的能量取自于有源元件。
關(guān)于運(yùn)放,以下哪個說法是正確的?()
在溫度升高時,晶體三極管的極間反向電流和電流放大倍數(shù)都將增大。
若在P型半導(dǎo)體中通過一定的工藝摻入足夠量的五價元素,則可變?yōu)镹型半導(dǎo)體。
放大電路的輸出電阻與信號源內(nèi)阻無關(guān)。
電路如圖所示,電源VDD等于1V,電阻R等于10KΩ的時,若用恒壓降模型(硅0.7V)來求解二極管兩端所對應(yīng)和電流()。