判斷題AFM通常用來觀測樣品表面形貌。
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2.判斷題通常利用TEM觀測的分辨率高于SEM。
3.單項(xiàng)選擇題光刻技術(shù)中的反刻工藝，通常應(yīng)用于（）的情況。
A.對光刻精度較高
B.光刻圖案密度較高
C.光刻的材料易于腐蝕
D.光刻的材料難以腐蝕
4.單項(xiàng)選擇題在CMOS工藝中，最為昂貴的步驟是：（）
A.腐蝕
B.離子注入
C.光刻
D.CVD
最新試題
PMOS的基底是p型半導(dǎo)體，所以叫PMOS。
題型：判斷題
當(dāng)一個NPN型BJT工作在電流放大模式下時，其（）的pn結(jié)上的電壓方向是反向偏置的
題型：單項(xiàng)選擇題
硅中常見的B摻雜和As摻雜都是深能級摻雜。
題型：判斷題
激活劑
題型：名詞解釋
有A和B兩種單質(zhì)晶體，我們知道A的晶格常數(shù)是5Å，帶隙是1.2eV，B的晶格常數(shù)是4Å，其帶隙有可能是（）eV
題型：單項(xiàng)選擇題
本征吸收
題型：名詞解釋
一般說的14nm工藝線指的是MOSFET中的（）達(dá)到了14nm量級
題型：單項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體鍍膜通常在真空中進(jìn)行是為了減少雜質(zhì)沉積的干擾。
題型：判斷題
光生伏特效應(yīng)
題型：名詞解釋
陰極射線致發(fā)光
題型：名詞解釋