問(wèn)答題Wafer下線的第一道步驟是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide的目的是為何?
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舉例說(shuō)明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。
題型:?jiǎn)柎痤}
在PN 結(jié)形成過(guò)程中,空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型:判斷題
說(shuō)明氧化氣氛對(duì)擴(kuò)散有何影響及原因?
題型:?jiǎn)柎痤}
淀積擴(kuò)散主要受哪些因素的控制?
題型:?jiǎn)柎痤}
結(jié)電容是常量。
題型:判斷題
明兩步擴(kuò)散法的基本思想,及其每一步工藝的主要特點(diǎn)和目的。
題型:?jiǎn)柎痤}
什么是擴(kuò)散的相互作用?試舉一例說(shuō)明其對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
題型:?jiǎn)柎痤}
本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。
題型:判斷題
試說(shuō)明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法,并說(shuō)明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型:?jiǎn)柎痤}
試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B,P,As的擴(kuò)散特性。
題型:?jiǎn)柎痤}