多項選擇題關于DDR3的PCB布局布線要求，下列說法正確的是（）。

A.采用T拓撲結構上拉電阻放在T點處，上拉電阻的走線長度要小于500mil
B.采用FLY-BY拓撲上拉電阻放在最后一片DDR3芯片的后端，上拉電阻的走線長度要小于500mil
C.當DDR3芯片所需的電流超過電源走線的通流能力，會因驅動能力不足導致對信號處的錯誤處理
D.DDR3布線減少過孔的數(shù)量是為了避免過孔的寄生電容和電感對信號質量的影響


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1.多項選擇題關于DDR3的新特性，下列說法正確的是（）。

A.Reset提供了超省電功能的命令，可以讓DDR3電路停止運作、進入超省電待命模式
B.ZQ則是一個新增的終端電阻校準功能，用來校準ODT（OnDieTermination）內部終端電阻
C.PASR信號是局部Bank刷新的功能，針對整個內存Bank做更有效的資料讀寫以達到省電功效
D.在DDR3系統(tǒng)中，Vref分可為兩個信號即VREFCA和VREFDQ，有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級

2.單項選擇題DDR2的ODT允許配置的阻值的四種模式是（）。

A.150Ω、120Ω、50Ω、0Ω
B.150Ω、100Ω、50Ω、0Ω
C.150Ω、75Ω、50Ω、10Ω
D.150Ω、75Ω、50Ω、關閉

3.多項選擇題關于DDR2的布局布線要求，下列說法正確的是（）。

A.VTT島盡可能放置在最后一個DDR2存儲器附近
B.Vref走線寬度>25mil，原則上每個Vref管腳都要一個去耦電容
C.每對DQS線（即DQS+與DQS-）之間線長的誤差范圍為10mil
D.BA、ADR、ODT、CKE、CS、CAS、RAS、WE與CLK之間走線長度誤差控制在50mil以內

4.多項選擇題DDR2的控制總線包括哪些？（）

A.Add、BA
B.CK、CKE
C.RAS、CAS
D.CS、WE

5.多項選擇題關于DDR2的供電電源，下列說法正確的是（）。

A.DDR2的IO供電電源是1.8V
B.每個IO電源管腳配備退耦電容
C.DDR2的VTT電源電壓是1.8V
D.VTT電源的端接電阻端可以不需要配備退耦電容