問答題試說明雙阱CMOS工藝中用到的主要光刻掩膜版及其作用。
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在PN 結(jié)形成過程中,空穴的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)方向是從P 區(qū)到N 區(qū)。
題型:判斷題
說明氧化氣氛對(duì)擴(kuò)散有何影響及原因?
題型:?jiǎn)柎痤}
在P 型半導(dǎo)體中,空穴濃度大于自由電子濃度。
題型:判斷題
半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
普通二極管是由PN 結(jié)引出電極封裝而成的。
題型:判斷題
漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型:判斷題
什么是擴(kuò)散的相互作用?試舉一例說明其對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
題型:?jiǎn)柎痤}
薄層電阻
題型:名詞解釋
因電場(chǎng)作用所產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。
題型:判斷題
舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。
題型:?jiǎn)柎痤}