問答題試說明LOCOS和STI中淀積的襯墊氧化硅層以及場(chǎng)注的主要作用。
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最新試題
理想二極管模型在直流電路分析中誤差很大，因此不能使用。
題型：判斷題
試說明半導(dǎo)體制造中擴(kuò)散工藝的主要目的。列出并解釋實(shí)際擴(kuò)散工藝的主要步驟，并說明個(gè)步驟的主要作用和工藝溫度。
題型：?jiǎn)柎痤}
自由電子帶負(fù)電，空穴帶正電。
題型：判斷題
試說明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B，P，As的擴(kuò)散特性。
題型：?jiǎn)柎痤}
舉例說明什么是同型摻雜和反型摻雜及各自的目的。
題型：?jiǎn)柎痤}
漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型：判斷題
什么是擴(kuò)散的相互作用？試舉一例說明其對(duì)半導(dǎo)體器件的制造有何影響及其產(chǎn)生的原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性能很差。
題型：判斷題
試說明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法，并說明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型：?jiǎn)柎痤}
純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。
題型：判斷題