多項選擇題CVD制備SiO2的方法有（）。

A.中溫LPCVD
B.低溫APCVD
C.低溫PECVD
D.低溫LPCVD


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1.多項選擇題金屬W（鎢）的用途有（）。

A.局部互連
B.全局互連
C.鎢插塞
D.柵極

2.多項選擇題下列屬于多晶硅薄膜的特性有（）。

A.擴散系數(shù)明顯高于單晶硅
B.晶粒尺寸大的薄膜電阻率小
C.晶向唯一
D.電阻率遠高于單晶硅

3.多項選擇題?LPCVD系統(tǒng)與PECVD系統(tǒng)相比，它們的相同點有（）。

A.產(chǎn)量低
B.可淀積Si3N4等
C.臺階覆蓋好
D.反應(yīng)控制

4.多項選擇題?APCVD系統(tǒng)的缺點有（）。?

A.均勻性差
B.易發(fā)生氣相反應(yīng)
C.臺階覆蓋
D.高溫工藝

5.多項選擇題下列關(guān)于LPCVD的描述正確的有（）。

A.擴散控制
B.嚴(yán)格控制溫度
C.反應(yīng)控制
D.低溫淀積工藝