多項(xiàng)選擇題?LPCVD系統(tǒng)與PECVD系統(tǒng)相比，它們的相同點(diǎn)有（）。

A.產(chǎn)量低
B.可淀積Si3N4等
C.臺(tái)階覆蓋好
D.反應(yīng)控制


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1.多項(xiàng)選擇題?APCVD系統(tǒng)的缺點(diǎn)有（）。?

A.均勻性差
B.易發(fā)生氣相反應(yīng)
C.臺(tái)階覆蓋
D.高溫工藝

2.多項(xiàng)選擇題下列關(guān)于LPCVD的描述正確的有（）。

A.擴(kuò)散控制
B.嚴(yán)格控制溫度
C.反應(yīng)控制
D.低溫淀積工藝

3.多項(xiàng)選擇題?影響淀積速率的因素有（）。

A.降低δs
B.增加Um
C.減小基座長(zhǎng)度L
D.增加溫度

4.多項(xiàng)選擇題?Grove模型建模時(shí)，關(guān)注的主要運(yùn)動(dòng)形式有（）。

A.反應(yīng)運(yùn)動(dòng)
B.擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
C.脫吸運(yùn)動(dòng)
D.漂移運(yùn)動(dòng)

5.多項(xiàng)選擇題?以下關(guān)于CVD的描述正確的有（）。

A.hg≥ks，淀積速率為擴(kuò)散控制
B.hg≤ks，淀積速率為反應(yīng)控制
C.hg≥ks，淀積速率為反應(yīng)控制
D.hg≤ks，淀積速率為擴(kuò)散控制