集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2018.02.23)

來源：考試資料網(wǎng)
參考答案：

雙極性集成電路中最常用的電阻器是基區(qū)擴(kuò)散電阻；MOS集成電路中常用的電阻有多晶硅電阻和用MOS管形成的電阻。

參考答案：晶體管開通后，其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當(dāng)漏源電壓很小時，隨著漏源電壓的值的增大，溝道內(nèi)電場強(qiáng)度增加，電流隨之增大，...
參考答案：基區(qū)薄層電阻擴(kuò)散完成后，還有多道高溫處理工序，所以雜質(zhì)會進(jìn)一步往里邊推，同時表面的硅會進(jìn)一步氧化。形成管子后，實(shí)際電阻比...
參考答案：

MOS電容大小取決于面積、氧化層的厚度、氧化層的介電常數(shù)

參考答案：有比反相器在輸出低電平時，驅(qū)動管和負(fù)載管同時導(dǎo)通，其輸出低電平由驅(qū)動管導(dǎo)通電阻和負(fù)載管導(dǎo)通電阻的分壓決定。為保持足夠低的...
參考答案：使用鍍銀銅線減小高頻電阻；用多股的絕緣線代替具有同樣總截面的單股線減小肌膚效應(yīng)；使用介質(zhì)損耗小的高頻陶瓷為骨架減小介質(zhì)損...
參考答案：集成電路中半導(dǎo)體器件的最小尺寸如MOSFET的最小溝道長度。是衡量集成電路加工和設(shè)計(jì)水平的重要標(biāo)志。它的減小使得芯片集成...
參考答案：

英特爾芯片上晶體管數(shù)每隔18個月增加一倍

參考答案：

電源線上和版圖空余地方

參考答案：動態(tài)組合邏輯電路中存在的常見的三種問題是電荷泄漏，電荷分配和時鐘饋通。
電荷泄漏產(chǎn)生的原因是與輸出相連的MOS...