集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2019.05.10)

來源：考試資料網(wǎng)

1.名詞解釋電壓傳輸特性

指電路的輸出電壓VO隨輸入電壓Vi變化而變化的性質(zhì)或關(guān)系（可用曲線表示，與晶體管電壓傳輸特性相似）。

2.問答題存儲(chǔ)器的總體結(jié)構(gòu)包括哪些？

存儲(chǔ)單元陣列、譯碼器、輸入/輸出緩沖器、時(shí)鐘和控制電路。

3.問答題什么是光敏度，移相掩膜，駐波效應(yīng)？

參考答案：光敏度：指單位面積上入射的使光刻膠全部發(fā)生反應(yīng)的最小光能量或最小荷量。
移相掩膜：基本原理是在光掩模的某些透明...

4.問答題什么是有源電阻？哪些器件可擔(dān)當(dāng)有源電阻？

參考答案：采用晶體管進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪B接并使其工作在一定的狀態(tài)，利用它的直流導(dǎo)通電阻和交流電阻作為電路中的電阻元件使用
雙極性...

5.問答題MOS管的動(dòng)態(tài)特性是什么？受哪些因素影響？尺寸縮小對(duì)動(dòng)態(tài)特性的影響是什么？

參考答案：特性：動(dòng)態(tài)特性即速度；
因素：受電流源Ids的驅(qū)動(dòng)能力即跨導(dǎo)的大小、RC時(shí)間常數(shù)、充放電的電源電壓的高低決定；...

6.問答題簡(jiǎn)述PMOS管的具體結(jié)構(gòu)。

參考答案：半導(dǎo)體部分的結(jié)構(gòu)包含由兩個(gè)P型硅的擴(kuò)散區(qū)隔開的N型硅區(qū)域，這層型硅區(qū)域之上覆蓋了由一個(gè)絕緣層和一個(gè)柵極的導(dǎo)電電極構(gòu)成的夾...

7.問答題版圖設(shè)計(jì)規(guī)則可以用什么形式給出？

微米規(guī)則和λ規(guī)則。

8.問答題外延生長(zhǎng)的目的是什么？

用同質(zhì)材料形成具有不同的摻雜種類及濃度而具有不同性能的晶體層。

9.問答題集成電路按電路規(guī)?？梢苑譃槟男?？

1、SSI
2、MSI
3、LSI
4、VLSI

10.問答題什么是共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)？

參考答案：最外層的價(jià)電子不僅受到自身原子核的作用，還要受到相鄰原子核的作用，這樣每個(gè)價(jià)電子就不局限于單個(gè)原子，可以轉(zhuǎn)移到相鄰的原子...