集成電路技術(shù)綜合練習(xí)章節(jié)練習(xí)(2020.05.05)

來(lái)源:考試資料網(wǎng)
參考答案:

源漏之間的距離、溝道寬度、開啟電壓、柵絕緣氧化層的厚度、柵絕緣層的介電常數(shù)、載流子的遷移率

參考答案:對(duì)晶體靶進(jìn)行離子注入時(shí),當(dāng)離子注入的方向與靶晶體的某個(gè)晶向平行時(shí),其運(yùn)動(dòng)軌跡將不再是無(wú)規(guī)則的,而是將沿溝道運(yùn)動(dòng)并且很少受...
參考答案:去掉TTL門的高電平的驅(qū)動(dòng)級(jí),oc門輸出端用導(dǎo)線連接起來(lái),接到一個(gè)公共的上拉電阻上,實(shí)施線與,此時(shí)就不會(huì)出此案大電流灌入...
參考答案:

發(fā)射結(jié)的注入、基區(qū)中的輸運(yùn)與復(fù)合和集電區(qū)的收集

參考答案:測(cè)試生成:是指產(chǎn)生驗(yàn)證電路的一組測(cè)試碼又稱為測(cè)試矢量
測(cè)試驗(yàn)證:指一個(gè)給定測(cè)試集合的有效性測(cè)度,通常是通過(guò)故障...
參考答案:Pdyn由充放電電容引起的動(dòng)態(tài)功耗;Pdp直流通路電容引起的功耗;Pstat靜態(tài)功耗
參考答案:MOS管的閾值電壓VT與襯底的摻雜濃度Na密切相關(guān),摻雜濃度越大,VT的值越大。
用離子注入的方法可以控制Na...
參考答案:①多層電極有用于微波晶體管、超高頻低噪聲管等器件的鋁基系統(tǒng)和用于高頻大功率管的金基系統(tǒng)兩種。
②大體可分為四層...
參考答案:

襯底材料制備;埋層的形成;N型外延層的形成;隔離區(qū)的形成;晶體管基區(qū)的形成;晶體管發(fā)射區(qū)和引線孔的形成;金屬化的形成。