問(wèn)答題一般硅片的制造(wafer process)過(guò)程包含哪些主要部分?
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半導(dǎo)體獲得廣泛應(yīng)用的原因是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
試說(shuō)明擴(kuò)散工藝中常用的擴(kuò)散摻雜方法,并說(shuō)明當(dāng)前實(shí)際工藝中使用的主要方法及理由。
題型:?jiǎn)柎痤}
試說(shuō)明硅工藝中常用摻雜雜質(zhì)B,P,As的擴(kuò)散特性。
題型:?jiǎn)柎痤}
結(jié)電容是常量。
題型:判斷題
關(guān)于PN 結(jié)的導(dǎo)電,下列敘述不正確的是:()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
若在直流電路中硅二極管導(dǎo)通,則其導(dǎo)通電壓均可認(rèn)為0.7V。
題型:判斷題
二極管只能通過(guò)直流電,不能通過(guò)交流電。
題型:判斷題
漂移運(yùn)動(dòng)方向是從N 區(qū)到P 區(qū)。
題型:判斷題
自由電子是載流子,空穴不是。
題型:判斷題
說(shuō)明氧化氣氛對(duì)擴(kuò)散有何影響及原因?
題型:?jiǎn)柎痤}