如下圖所示的分壓式工作點(diǎn)穩(wěn)定電路中，晶體管的β＝50，rbb’＝200Ω，VBEQ＝0.7V，RB1＝25kΩ，RB2＝5kΩ，RC＝5kΩ，RE1＝RL＝2.7kΩ，RE2＝300Ω，VCC＝12V。計(jì)算：
（1）電路的靜態(tài)工作點(diǎn)；
（2）Au、Ri和R0；
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現(xiàn)在定義了一個(gè)1位的加法器addbit（ci，a，b，co，sum），模塊的結(jié)果用表達(dá)式表示為{co，sub}=a+b+ci，其中a，b為兩個(gè)加數(shù)，ci為來自低位的進(jìn)位，sum為和，co為向高位的進(jìn)位，如果以此1位加法器構(gòu)建四位加法器，同時(shí)定義頂層模塊中的端口信號(hào)和中間變量的定義：下面通過層次調(diào)用的方式進(jìn)行邏輯實(shí)現(xiàn)中的表達(dá)式正確的是（）。
?數(shù)字頻率計(jì)設(shè)計(jì)中的測頻計(jì)數(shù)模塊共有多少個(gè)狀態(tài)？（）
?已知Nexys4開發(fā)板外部時(shí)鐘信號(hào)頻率為100MHz，數(shù)字鐘用來產(chǎn)生秒信號(hào)的時(shí)鐘信號(hào)頻率為1Hz，若采用計(jì)數(shù)器對100MHz的外部時(shí)鐘分頻得到1Hz的秒信號(hào)，請問該計(jì)數(shù)器至少需要多少位？（）
在下圖中如果輸入輸出均有電容耦合，則將RG的阻值由10MΩ替換為1MΩ時(shí)，柵極直流電壓將會(huì)（），漏極直流電流將會(huì)（），輸入電阻將會(huì)（）。
已知某N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管的。下表給出了四種狀態(tài)下和的值，那么各狀態(tài)下器件的工作狀態(tài)為（）。
?verilogHDL中已經(jīng)預(yù)先定義了的門級(jí)原型的符號(hào)有（）。
I=0.5mA，Vt=1.5V，k′n（W/L）=1mA/V2，VA足夠大。輸入輸出信號(hào)均通過電容耦合進(jìn)行傳輸（注意圖中未畫出電容），要實(shí)現(xiàn)增益為15倍的放大電路，則RD=（）kΩ。?
在對數(shù)字鐘計(jì)時(shí)、校時(shí)模塊進(jìn)行仿真時(shí)，設(shè)秒信號(hào)的周期為10ns，若要觀察24時(shí)制計(jì)數(shù)是否正確，那么在復(fù)位信號(hào)無效，計(jì)時(shí)使能信號(hào)有效的情況下，仿真需運(yùn)行多長時(shí)間？（）
當(dāng)VGS=0時(shí)，能夠?qū)ǖ腗OS管為（）
?verilog語法中，間隔符號(hào)主要包括（）。