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判斷題SiO₂作為擴散掩蔽膜需要滿足一定的厚度要求。

1.判斷題SiO₂中5價的網絡形成者可使結構強度增加，而3價的網絡形成者可使結構強度減小。

2.判斷題熱氧化生長的SiO₂都是四面體結構，有橋鍵氧、非橋鍵氧，橋鍵氧越多結構越致密，SiO₂中有離子鍵成份，氧空位表現(xiàn)為帶正電。

3.判斷題熱氧化過程中是硅向二氧化硅外表面運動，在二氧化硅表面與氧化劑反應生成二氧化硅。

4.判斷題當位錯線與滑移矢量垂直時，這樣的位錯稱為刃位錯，如果位錯線與滑移矢量平行，稱為螺位錯。

5.判斷題管芯在芯片表面上的位置安排應考慮材料的解理方向，而解理向的確定應根據(jù)定向切割硅錠時制作出的定位面為依據(jù)。