問(wèn)答題簡(jiǎn)述離子注入工藝相對(duì)于熱擴(kuò)散工藝的優(yōu)缺點(diǎn)。

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1.名詞解釋結(jié)深

最新試題

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫(huà)出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。

題型：?jiǎn)柎痤}

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

題型：?jiǎn)柎痤}

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

題型：多項(xiàng)選擇題

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

題型：?jiǎn)柎痤}

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

題型：?jiǎn)柎痤}

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

題型：?jiǎn)柎痤}

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

題型：多項(xiàng)選擇題

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

題型：多項(xiàng)選擇題

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

題型：?jiǎn)柎痤}

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類(lèi)（）和（）。每種類(lèi)型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

題型：多項(xiàng)選擇題