單項(xiàng)選擇題對(duì)于硅基CMOS電路，一個(gè)2輸入或非門(mén)的邏輯努力是（）。

A.1
B.4/3
C.5/3
D.3


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1.單項(xiàng)選擇題

下圖所示電路屬于（）負(fù)反饋放大電路。

A.電壓串聯(lián)負(fù)反饋
B.電流串聯(lián)負(fù)反饋
C.電壓并聯(lián)負(fù)反饋
D.電流并聯(lián)負(fù)反饋

2.單項(xiàng)選擇題在PMOS中，襯底上加上正電壓偏置，會(huì)使閾值電壓（）。

A.增大
B.不變
C.減小
D.可大可小

3.單項(xiàng)選擇題如果跨導(dǎo)減小，MOS晶體管的噪聲電流將（）。

A.減小
B.增大
C.不變
D.不確定

4.多項(xiàng)選擇題?在現(xiàn)代Si CMOS IC金屬化工藝中，Ti和TiN的作用是（）。

A.TiN是勢(shì)壘層（阻擋層）
B.兩個(gè)都是導(dǎo)電層
C.Ti是粘結(jié)層或焊接層
D.TiN防反射層

5.多項(xiàng)選擇題Poly-Si gate的刻蝕應(yīng)采用什么特性和什么方法的刻蝕？（）

A.濕法刻蝕
B.干法刻蝕
C.各向同性刻蝕
D.各向異性刻蝕