多項選擇題Poly-Si gate的刻蝕應采用什么特性和什么方法的刻蝕？（）

A.濕法刻蝕
B.干法刻蝕
C.各向同性刻蝕
D.各向異性刻蝕


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1.多項選擇題在STI工藝中，緩沖氧化層和氮化硅采用工藝技術(shù)正確的是（）。

A.氮化硅用常壓CVD工藝
B.氧化層用CVD工藝
C.氮化硅用低壓CVD工藝
D.氧化層用熱氧化工藝

2.多項選擇題1990’s CMOS IC 工藝技術(shù)特征是（）。

A.淺槽隔離工藝
B.鋁柵工藝
C.多晶硅柵工藝
D.硅外延片襯底

3.多項選擇題?Stepper的優(yōu)點有（）。

A.光刻版的精度和良率高
B.可分步重復曝光
C.減小了塵埃的影響
D.套刻精度高

4.多項選擇題?對非光學曝光表述正確的是（）。

A.X-射線是非光學曝光
B.電子束是非光學曝光
C.非光學曝光都不需要光刻版
D.EUV是非光學曝光

5.多項選擇題對移相掩膜（PSM）表述正確的是（）。

A.使光通過后產(chǎn)生180度相位差
B.提高分辨率
C.消除了圖形邊緣的衍射