單項選擇題
下圖所示電路屬于（）負反饋放大電路。
A.電壓串聯負反饋
B.電流串聯負反饋
C.電壓并聯負反饋
D.電流并聯負反饋
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1.單項選擇題在PMOS中，襯底上加上正電壓偏置，會使閾值電壓（）。
A.增大
B.不變
C.減小
D.可大可小
2.單項選擇題如果跨導減小，MOS晶體管的噪聲電流將（）。
A.減小
B.增大
C.不變
D.不確定
3.多項選擇題?在現代Si CMOS IC金屬化工藝中，Ti和TiN的作用是（）。
A.TiN是勢壘層（阻擋層）
B.兩個都是導電層
C.Ti是粘結層或焊接層
D.TiN防反射層
4.多項選擇題Poly-Si gate的刻蝕應采用什么特性和什么方法的刻蝕？（）
A.濕法刻蝕
B.干法刻蝕
C.各向同性刻蝕
D.各向異性刻蝕
5.多項選擇題在STI工藝中，緩沖氧化層和氮化硅采用工藝技術正確的是（）。
A.氮化硅用常壓CVD工藝
B.氧化層用CVD工藝
C.氮化硅用低壓CVD工藝
D.氧化層用熱氧化工藝
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