填空題二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。
您可能感興趣的試卷
最新試題
氣中的一個(gè)小塵埃將影響整個(gè)芯片的（）性、（）率，并影響其電學(xué)性能和（）性，所以半導(dǎo)體芯片制造工藝需在超凈廠房?jī)?nèi)進(jìn)行。
題型：填空題
半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類。
題型：填空題
雙極晶體管的1c7r噪聲與（）有關(guān)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過(guò)熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。
題型：填空題
恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為（）分布。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
簡(jiǎn)述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量？
題型：?jiǎn)柎痤}
非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時(shí)，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱為間隙，通常為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù)，也是評(píng)價(jià)（）的重要標(biāo)志。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來(lái)實(shí)現(xiàn)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題