單項選擇題外殼設(shè)計包括（）設(shè)計、熱性能設(shè)計和結(jié)構(gòu)設(shè)計三部分，而可靠性設(shè)計也包含在這三部分中間。
A.電性能
B.電阻
C.電感
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1.單項選擇題金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作封裝底盤、管帽和引線，（）做絕緣和密封。
A.塑料
B.玻璃
C.金屬
2.單項選擇題雙極晶體管的高頻參數(shù)是（）。
A.hFEVces
B.BVce
C.ftfm
3.單項選擇題濺射法是由（）轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來淀積在襯底上形成薄膜。
A.電子
B.中性粒子
C.帶能離子
4.單項選擇題平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接電流、焊接速度、焊輪壓力和焊輪椎頂角。焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點的（）。壓力太大，電阻值下降，對形成焊點不利，焊輪壓力太小，則造成接觸不良，不但形不成良好點。
A.電流值
B.電阻值
C.電壓值
5.單項選擇題塑封中注塑成型工藝主要工藝參數(shù)有（）、模具溫度、合模壓力、注射壓力、注射速度和成型時間。
A.準(zhǔn)備工具
B.準(zhǔn)備模塑料
C.模塑料預(yù)熱
最新試題
單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？
題型：問答題
厚膜元件燒結(jié)時，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。
題型：單項選擇題
恒定表面源擴散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為（）分布。
題型：單項選擇題
熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。
題型：填空題
雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴散機理比較復(fù)雜，但主要可分為（）擴散和（）擴散兩種。
題型：填空題
氣中的一個小塵埃將影響整個芯片的（）性、（）率，并影響其電學(xué)性能和（）性，所以半導(dǎo)體芯片制造工藝需在超凈廠房內(nèi)進行。
題型：填空題
簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求？
題型：問答題
金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤、管帽和引線的材料常常是（）。
題型：單項選擇題
半導(dǎo)體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。
題型：單項選擇題
器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來實現(xiàn)。
題型：單項選擇題