A.熱塑性樹脂
B.熱固性或橡膠型膠粘劑
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A.80%~90%
B.10%~20%
C.40%-50%
A.管帽變形
B.鍍金層的變形
C.底座變形
A.合金A-42
B.4J29可伐
C.4J34可伐
A.電性能
B.電阻
C.電感
A.塑料
B.玻璃
C.金屬
最新試題
厚膜元件燒結(jié)時,漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會使系統(tǒng)的自由能(),從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W中更穩(wěn)定的狀態(tài)。
濺射法是由()轟擊靶材表面,使靶原子從靶表面飛濺出來淀積在襯底上形成薄膜。
恒定表面源擴散的雜質(zhì)分布在數(shù)學上稱為()分布。
禁帶寬度的大小決定著電子從價帶跳到導帶的難易,一般半導體材料的禁帶寬度越寬,所制作的半導體器件中的載流子()外界因素(如高溫和輻射等)的干擾而產(chǎn)生變化。
在低溫玻璃密封工藝中,常用的運載劑由2%(質(zhì)量比)的硝化纖維素溶解于98%(質(zhì)量比)的醋酸異戊酯或松油醇中制得,再將20%的運載劑與()的玻璃料均勻混合,配成印刷漿料。
非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時,絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離,稱為間隙,通常為()。
金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝,金屬作封裝底盤、管帽和引線,()做絕緣和密封。
熱分解化學氣相淀積二氧化硅是利用()化合物,經(jīng)過熱分解反應(yīng),在基片表面淀積二氧化硅。
pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù),也是評價()的重要標志。
器件的橫向尺寸控制幾乎全由()來實現(xiàn)。