下圖為硅外延生長速度對H2中SiCL4摩爾分量的函數曲線，試分析曲線走勢，并給出其變化的原因。
最新試題
解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？
在硅片制造中光刻膠的兩種目的是什么？
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質擴散的三個步驟。
例舉離子注入設備的5個主要子系統。
解釋什么是暗場掩模板？
哪種化學氣體經常用來刻蝕多晶硅？描述刻蝕多晶硅的三個步驟。
例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點。
解釋發(fā)生刻蝕反應的化學機理和物理機理。
敘述氮化硅的濕法化學去除工藝。
例舉并描出旋轉涂膠的4個基本步驟。
