最新試題
光學(xué)光刻中影響圖像質(zhì)量的兩個重要參數(shù)是什么？
題型：問答題
解釋發(fā)生刻蝕反應(yīng)的化學(xué)機理和物理機理。
題型：問答題
解釋離子束擴展和空間電荷中和。
題型：問答題
敘述氮化硅的濕法化學(xué)去除工藝。
題型：問答題
例舉雙大馬士革金屬化過程的10個步驟。
題型：問答題
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
題型：問答題
描述曝光波長和圖像分辨率之間的關(guān)系。
題型：問答題
例舉離子注入設(shè)備的5個主要子系統(tǒng)。
題型：問答題
例舉并討論引入銅金屬化的五大優(yōu)點。
題型：問答題
解釋正性光刻和負性光刻的區(qū)別？為什么正膠是普遍使用的光刻膠？最常用的正膠是指哪些膠？
題型：問答題