一、將掩膜版圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中 二、在后續(xù)工藝中，保護下面的材料
最新試題
解釋光刻膠選擇比。要求的比例是高還是低？
刻蝕工藝有哪兩種類型？簡單描述各類刻蝕工藝。
描述化學(xué)機械平坦化工藝。
離子源的目的是什么？最常用的離子源是什么？
定義刻蝕速率并描述它的計算公式。為什么希望有高的刻蝕速率？
例舉并描出旋轉(zhuǎn)涂膠的4個基本步驟。
解釋光刻膠顯影。光刻膠顯影的目的是什么？
例舉并解釋硅中固態(tài)雜質(zhì)擴散的三個步驟。
定義刻蝕選擇比。干法刻蝕的選擇比是高還是低？高選擇比意味著什么？
描述RF濺射系統(tǒng)。