A.34mm
B.63mm
C.45mm
D.以上都不對(duì)
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A、27mm
B、21mm
C、38mm
D、以上都不對(duì)
A、5.6°
B、3.5°
C、6.8°
D、24.6°
A、2.5MHZ
B、5MHZ
C、4MHZ
D、2MHZ
A.頻率增加，晶片直徑減小而減小
B.頻率或晶片直徑減小而增大
C.頻率或晶片直徑減小而減小
D.頻率增加，晶片直徑減小而增大
A、橫波衰減比縱波嚴(yán)重
B、衰減系數(shù)一般隨材料的溫度上升而增大
C、當(dāng)晶粒度大于波長(zhǎng)1/10時(shí)對(duì)探傷有顯著影響
D、提高增益可完全克服衰減對(duì)探傷的影響
最新試題
測(cè)長(zhǎng)法是根據(jù)測(cè)長(zhǎng)缺陷回波高度變化與探頭移動(dòng)位置的相互關(guān)系來確定缺陷尺寸的。按規(guī)定的方法測(cè)得的缺陷長(zhǎng)度稱為缺陷的（）。
超聲檢測(cè)儀盲區(qū)是指（）。
板波檢測(cè)可以發(fā)現(xiàn)（），其檢出靈敏度與儀器設(shè)備及波的形式有關(guān)。
單探頭法容易檢出（）。
直接接觸法是指探頭與工件之間（）。
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí)，下面敘述中（）是錯(cuò)誤的。
缺陷的定量包括缺陷大小和數(shù)量的確定，而缺陷的大小可由缺陷的面積或（）來表征。
實(shí)際檢測(cè)中，為了提高掃查速度而又不引起漏檢，常將檢測(cè)靈敏度適當(dāng)提高，這種在檢測(cè)靈敏度基礎(chǔ)上適當(dāng)提高后的靈敏度叫做（）。
用折射角β的斜探頭進(jìn)行檢測(cè)，儀器顯示缺陷的聲程為S，則缺陷的水平距離l為（）。
移動(dòng)探頭找到缺陷最大回波，沿缺陷方向左右移動(dòng)探頭，缺陷回波高度降低一半時(shí)，探頭中心軸線所對(duì)應(yīng)的位置即為指示長(zhǎng)度的端點(diǎn)，兩端點(diǎn)之間的直線長(zhǎng)度即為缺陷指示長(zhǎng)度。這種測(cè)長(zhǎng)方法稱為（）。