單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中抗折強(qiáng)度試驗的抗折夾具的上壓輥和下支輥的曲率半徑為（），下支輥應(yīng)有一個為鉸接固定。

A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm


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3.單項選擇題砌墻磚試驗方法（GB/T2542-2003）標(biāo)準(zhǔn)中裂紋長度以在三個方向上分別測得的（）作為測量結(jié)果。

A、最長裂紋
B、最短裂紋
C、裂紋長度平均值
D、裂紋長度總和

最新試題

改良西門子法的顯著特點不包括（）

題型：單項選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

題型：單項選擇題

硅片拋光在原理上不可分為（）

題型：單項選擇題

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

題型：單項選擇題

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

題型：單項選擇題

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

題型：單項選擇題

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

題型：單項選擇題

可用作硅片的研磨材料是（）

題型：單項選擇題

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

題型：單項選擇題

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

題型：單項選擇題