單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標準中做抗折強度試驗時,應以()N/s的速度均勻加荷直至試件斷裂。
A、50
B、150
C、50或150
D、50~150
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1.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標準中抗折強度試驗的抗折夾具下支輥的跨距為磚規(guī)格長度減去(),但規(guī)格長度為190mm的磚,其跨距為()。
A、40mm170mm
B、40mm160mm
C、30mm170mm
D、30mm160mm
2.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標準中抗折強度試驗的磚樣應進行處理,處理方式為將非燒結(jié)磚放入()的水中浸泡()后取出,用濕布拭去其表面水分,再進行抗折試驗。
A、(20±5)℃48h
B、(20±5)℃24h
C、(20±10)℃48h
D、(20±10)℃24h
3.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標準中抗折強度試驗的抗折夾具的上壓輥和下支輥的曲率半徑為(),下支輥應有一個為鉸接固定。
A、10mm
B、15mm
C、20mm
D、25mm
4.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標準中抗折強度試驗的材料試驗機預期最大破壞荷載應在量程的()之間。
A、10%~80%
B、20%~80%
C、10%~90%
D、20%~90%
5.單項選擇題砌墻磚試驗方法(GB/T2542-2003)標準中抗折強度試驗的材料試驗機示值相對誤差不大于()。
A、±1%
B、±0.5%
C、±1.5%
D、±2%
最新試題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時,該表面態(tài)為();
題型:單項選擇題
對于大注入下的直接復合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
題型:單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
題型:單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向()
題型:單項選擇題