A、0.01kg
B、0.05kg
C、0.005kg
D、0.001kg
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A、250N/s
B、100N/s
C、300kN/s
D、1000N/s
A、1～3kN/s
B、10～30kN/s
C、1～30kN/s
D、3～10kN/s
A、1～3mm
B、1～5mm
C、3～5mm
D、5～8mm
A、0.5mm
B、0.1mm
C、1mm
D、5mm
A、（20±3）℃.（60±20）%
B、（20±3）.℃90%以上
C、（20±1）℃.（60±20）%
D、（20±1）℃.90%以上
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
下列是晶體的是（）。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
可用作硅片的研磨材料是（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）