單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行蒸壓加氣混凝土抗凍性試驗(yàn)時(shí)，每隔（）次循環(huán)檢查并記錄試件在凍融過(guò)程中的破壞情況。
A、1
B、2
C、4
D、5
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1.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中蒸壓加氣混凝土抗凍性測(cè)驗(yàn)試件冷凍后取出試件，放入預(yù)先降溫至（）℃以下的低溫箱或凍凍室，其間距不小于20mm。
A、-10
B、-15
C、-20
D、-25
2.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中蒸壓加氣混凝土抗凍性試驗(yàn)的試件尺寸和數(shù)量為（）
A、100mm×100mm×100mm.3塊
B、100mm×100mm×100mm.2塊
C、100mm×100mm×300mm.3塊
D、100mm×100mm×400mm.3塊
3.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中，蒸壓加氣混凝土干燥收縮值以3塊試件的（）進(jìn)行評(píng)定，精確至0.01mm/m。
A、最大值
B、最小值
C、算術(shù)平均值
D、中間值
4.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中，進(jìn)行蒸壓加氣混凝土干燥收縮試驗(yàn)時(shí)應(yīng)在試件放置1d后，浸入（20±2）℃恒溫水槽中，水面應(yīng)高出試件（）mm，保持72h。
A、20
B、30
C、40
D、50
5.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中，應(yīng)在蒸壓加氣混凝土干燥收縮試驗(yàn)試件的兩個(gè)端面中心，各鉆一個(gè)深度為（）mm孔洞。
A、8
B、10
C、12
D、13
最新試題
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題