單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中，進(jìn)行蒸壓加氣混凝土干濕循環(huán)試驗(yàn)的試件尺寸和數(shù)量為（）

A、100mm×100mm×100mm.2組
B、100mm×100mm×100mm.3組
C、100mm×100mm×300mm.2組
D、100mm×100mm×400mm.2組


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4.單項(xiàng)選擇題蒸壓加氣混凝土性能試驗(yàn)方法（GB/T11969-2008）標(biāo)準(zhǔn)中，進(jìn)行蒸壓加氣混凝土碳化試驗(yàn)的試件規(guī)格及組數(shù)為（）

A、100mm×100mm×100mm.5組
B、100mm×100mm×300mm.5組
C、100mm×100mm×400mm.5組
D、100mm×100mm×100mm.1組

最新試題

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

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下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

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鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

題型：多項(xiàng)選擇題

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）

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多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

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硅片拋光在原理上不可分為（）

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只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

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雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題