A、390mm×190mm×190mm
B、240mm×190mm×190mm
C、240mm×190mm×90mm
D、390mm×190mm×90mm
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A、燒結(jié)普通磚
B、燒結(jié)多孔磚和多孔砌塊
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D、輕集料混凝土小型空心砌塊
A、15%
B、20%
C、25%
D、30%
A、30mm.20mm
B、30mm.25mm
C、25mm.20mm
D、25mm.10mm
A.390mm×190㎜×190mm
B.390㎜×240㎜×190㎜
C.490mmX370mmX370mm
D.370mmX240mmX240㎜
A、100mm×100mm×100mm.2組
B、100mm×100mm×100mm.3組
C、100mm×100mm×300mm.2組
D、100mm×100mm×400mm.2組
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()