A、從水泥與水拌合接觸的瞬間開始計時
B、從拌合物搗實提筒的瞬間開始計時
C、從拌合物開始裝料的瞬間開始計時
D、從開啟振動臺的同時開始計時
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A、拌合物應(yīng)分三層均勻地裝入筒內(nèi)
B、每層用搗棒插搗12次
C、插搗應(yīng)沿螺旋方向由中心向外進行
D、當(dāng)振動到透明圓盤的底面被水泥漿布滿的瞬間停止計時
A、適用于骨料粒徑不大于40mm的砼拌合物稠度測定
B、適用于骨料粒徑大于40mm的砼拌合物稠度測定
C、適用于坍落度不小于220mm的砼拌合物稠度測定
D、適用于維勃稠度在5~30s之間的砼拌合物稠度測定
A、坍落度測量精確至1mm,坍落擴展度測量精確至5mm
B、坍落度測量與坍落擴展度測量均精確至1mm
C、坍落度試驗結(jié)果表達修約至1mm,坍落擴展度試驗結(jié)果表達修約至5mm
D、坍落度與坍落擴展度試驗結(jié)果表達均修約至5mm
A、坍落度大于220mm的砼拌合物,宜用坍落擴展度法測定其稠度
B、用鋼尺測量砼擴展后最終的最大直徑,作為坍落擴展度值
C、用鋼尺測量砼擴展后最終的最小直徑,作為坍落擴展度值
D、擴展后的最大直徑與最小直徑之差超過50mm時,試驗無效
A、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點之間的高度差,作為坍落度值
B、提筒后,測量筒高與坍落后試體最低點之間的高度差,作為坍落度值
C、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點和最低點之間的高度差,取其平均值作為坍落度值
D、提筒后,應(yīng)在150s后測量坍落度值
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列是晶體的是()。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。