多項選擇題GB18242-2008中PYⅠ類與GB18243-2008中PYⅠ類物理力學(xué)性能相同的有()。
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰時延伸率
D、耐熱性
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1.多項選擇題GB/T23457-2009中濕鋪卷材PYⅠ3.0mm與GB23441-2009中PYⅠ3.0mm物理力學(xué)性能不同的有()。
A、拉力
B、低溫柔性
C、耐熱性
D、可溶物含量
2.多項選擇題GB23441-2009中N類卷材PETⅠ型與PETⅡ型物理力學(xué)性能指標(biāo)不同的有()。
A、不透水性
B、拉力
C、低溫柔性
D、耐熱性
3.多項選擇題非燒結(jié)磚包括()。
A、蒸壓灰砂磚
B、粉煤灰磚
C、爐渣磚
D、碳化磚
4.多項選擇題外觀質(zhì)量檢查測量方法主要有()和色差。
A、缺損
B、裂紋
C、彎曲
D、雜質(zhì)凸出高度
5.多項選擇題蒸壓灰砂磚標(biāo)準(zhǔn)適用于以()主要原料,允許摻入顏料和外加劑,經(jīng)坯料制備、壓制成型、蒸壓養(yǎng)護(hù)而成的實心灰砂磚。
A、水泥
B、粉煤灰
C、石灰
D、砂
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:單項選擇題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
題型:單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題