A、斷裂拉伸強(qiáng)度精確到0.1N/cm
B、斷裂拉伸強(qiáng)度精確到1N/cm
C、扯斷伸長(zhǎng)率精確到1%
D、扯斷伸長(zhǎng)率精確到0.1%
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A、2倍放大鏡
B、4倍放大鏡
C、6倍放大鏡
D、8倍放大鏡
A、拉力指標(biāo)≥800N/50mm
B、最大拉力時(shí)伸長(zhǎng)率指標(biāo)≥40%
C、耐熱性指標(biāo)為70℃,2h無(wú)位移、流淌、滴落
D、低溫柔性指標(biāo)為-25℃,無(wú)裂紋
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰時(shí)延伸率
D、耐熱性
A、拉力
B、低溫柔性
C、耐熱性
D、可溶物含量
A、不透水性
B、拉力
C、低溫柔性
D、耐熱性
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
硅片拋光在原理上不可分為()
下列是晶體的是()。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()
可用作硅片的研磨材料是()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()