A、溫度
B、拉力
C、錨具構(gòu)造
D、張拉錨固工藝
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、L
B、S
C、J
D、M
A、錨板
B、夾片
C、連接器
D、墊板
A、夾片錨具
B、鐓頭錨具
C、擠壓錨具
D、錐塞錨具
A、應(yīng)先進(jìn)行錨具的硬度試驗(yàn)
B、應(yīng)在錨板和夾片之間加入潤滑劑
C、預(yù)應(yīng)力筋應(yīng)等長平行,不少于2米
D、正式加載前需要進(jìn)行應(yīng)力調(diào)勻
A、夾片
B、鐓頭
C、錨板
D、鋼絞線
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
硅片拋光在原理上不可分為()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。