當MOSFET進入飽和區(qū)時有效溝道長度隨漏源電壓的變化而變化，從而漏電流略有增加。
溝道長度減小到一定程度后出現(xiàn)的一系列二級物理效應(yīng)，如閾值電壓的變化。
最新試題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
摻雜后退火時間一般在（）。
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。