單項選擇題光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

A.掩膜版
B.對準和曝光
C.光刻機
D.光刻膠


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1.單項選擇題進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

A.堿溶液清洗
B.有機溶液清洗
C.HF結(jié)尾的清洗工藝
D.去離子水沖洗

2.多項選擇題刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

A.光刻膠
B.Si襯底
C.刻蝕氣體中的碳和其它物質(zhì)組成的化合物
D.刻蝕溶液

3.多項選擇題摻雜后，退火的目的是（）。

A.實現(xiàn)電激活
B.修復(fù)損傷
C.提高摻雜均勻性
D.加大損傷

4.多項選擇題常壓的硅外延方法有（）。

A.四氯化硅氫還原法
B.三氯氫硅氫還原法
C.二氯氫硅烷法
D.硅烷熱分解法