多項(xiàng)選擇題刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

A.光刻膠
B.Si襯底
C.刻蝕氣體中的碳和其它物質(zhì)組成的化合物
D.刻蝕溶液


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.多項(xiàng)選擇題摻雜后，退火的目的是（）。

A.實(shí)現(xiàn)電激活
B.修復(fù)損傷
C.提高摻雜均勻性
D.加大損傷

2.多項(xiàng)選擇題常壓的硅外延方法有（）。

A.四氯化硅氫還原法
B.三氯氫硅氫還原法
C.二氯氫硅烷法
D.硅烷熱分解法

4.單項(xiàng)選擇題注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

A.能量
B.溫度
C.劑量
D.質(zhì)量

5.單項(xiàng)選擇題摻雜后退火時間一般在（）。

A.30~60分鐘
B.10~20分鐘
C.60~90分鐘
D.100~120分鐘