單項選擇題摻雜后退火時間一般在()。
A.30~60分鐘
B.10~20分鐘
C.60~90分鐘
D.100~120分鐘
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層,開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為()。
A.最低摻雜劑量
B.臨界劑量
C.損傷劑量
D.摻雜劑量
2.多項選擇題下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
A.Cu
B.P
C.Ag
D.Au
3.多項選擇題鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有()。
A.有效柵寬變窄
B.電流減少
C.電容增加
D.電阻增大
4.多項選擇題消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
A.選擇合適的掩蔽膜
B.在氧化前,將窗口處的硅腐蝕掉深度,再進行局部氧化
C.退火
D.高壓氧化工藝
5.單項選擇題濕氧氧化采用的氧化水溫是()。
A.95度
B.90度
C.80度
D.75度
最新試題
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)?()
題型:單項選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子?()
題型:多項選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括()。
題型:多項選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有()。
題型:多項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標?()
題型:單項選擇題
新的平坦化方法有哪幾個?()
題型:多項選擇題
厚膜電阻的成分,一是導(dǎo)體顆粒,二是()。
題型:單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用()。
題型:多項選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括()。
題型:多項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括()。
題型:多項選擇題