填空題擴散是物質(zhì)的一個基本性質(zhì),分為三種形態(tài)()擴散、()擴散和()擴散。
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硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的()材料等。
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比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
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半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。
題型:多項選擇題
設(shè)計一個CMOS差分放大器電路,寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。
題型:問答題
版圖設(shè)計的基本前提是什么?
題型:問答題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
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說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
題型:問答題
20世紀(jì)上半葉對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是()。
題型:多項選擇題
在晶體材料中,對于長程有序的原子模式最基本的實體就是()。
題型:單項選擇題
集成電路電阻可以通過()產(chǎn)生。
題型:多項選擇題