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判斷題離子注入中高能量意味著注入硅片更深處，低能量則用于超淺結(jié)注入。

1.判斷題離子注入能夠重復(fù)控制雜質(zhì)的濃度和深度，因而在幾乎所有應(yīng)用中都優(yōu)于擴(kuò)散。

2.判斷題離子注入的缺點(diǎn)之一是注入設(shè)備的復(fù)雜性。

3.判斷題離子注入物質(zhì)必須以帶電粒子束或離子束的形式存在。

4.判斷題離子注入是一個物理過程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

5.判斷題離子注入是唯一能夠精確控制摻雜的手段。