A.碳含量
B.合金元素含量
C.冷卻速度
D.過冷度
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A.ZL102
B.ZL202
C.ZL301
D.ZL402
A.淬火+低溫回火
B.淬火+中溫回火
C.調(diào)質(zhì)
D.調(diào)質(zhì)后表面淬火
A.M
B.M+A殘
C.M+B下+A殘
D.M+T+A殘
A.低于Ac1溫度
B.高于Ac1溫度而低于Ac3溫度
C.等于Ac3溫度
D.Ac3+30至50度
A.一次滲碳體
B.二次滲碳體
C.三次滲碳體
D.一次滲碳體和二次滲碳體
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。