單項選擇題推出法選擇測點時被推丁磚下的水平灰縫厚度應為（）。
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
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1.單項選擇題推出法適用于推定（）厚燒結普通磚、燒結多孔磚的砌筑砂漿強度。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
2.單項選擇題扁頂法測試墻體的受壓工作應力時，以下哪個要求不正確（）。
A.使用手持應變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時，應測量3次，并應取其平均值
B.槽的四周應清理平整，并應除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
D.開槽時不應操作測點部位的墻體及變形測量腳標
3.單項選擇題原位雙剪法當采用釋放時間上部壓應力σ的測試方案時，應掏空試件頂部（）之上的一條水平縫。
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
4.單項選擇題原位雙剪法所用原位剪切儀主要技術指標中示值相對誤差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
5.單項選擇題原位雙剪法同一墻體的各個測點之間，水平方向凈距不應小于（）。
A.0.5m
B.1.0m
C.1.5m
D.2.0m
最新試題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題