A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
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A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
A.屬原位檢測(cè),直接在墻體上測(cè)試,測(cè)試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)
B.直觀性,可比性強(qiáng)
C.砌體強(qiáng)度較高或軸向變形較大時(shí),容易測(cè)出抗壓強(qiáng)度
D.檢測(cè)部位局部破損
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
最新試題
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門(mén)子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括()