A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
A.5個(gè)
B.6個(gè)
C.8個(gè)
D.10個(gè)
A.屬原位檢測(cè)，直接在墻體上測(cè)試，測(cè)試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測(cè)部位局部破損
C.直觀性，可比性強(qiáng)
D.設(shè)備較輕
最新試題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
PN結(jié)的基本特性是（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；