單項選擇題配置砌筑砂漿時，各組分材料應(yīng)采用質(zhì)量計量，水泥及各種外加劑配料的允許偏差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
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1.單項選擇題砌筑砂漿應(yīng)進行配合比設(shè)計，當砌體為燒結(jié)普通磚或蒸壓粉煤灰磚砌體時，其砂漿稠度應(yīng)為（）。
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
2.單項選擇題扁頂法的特點有（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)
B.直觀性，可比性強
C.砌體強度較高或軸向變形較大時，容易測出抗壓強度
D.檢測部位局部破損
3.單項選擇題砌筑基礎(chǔ)前，應(yīng)校核防線尺寸，長度L或?qū)挾菳≤30m的尺寸允許偏差為（）。
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
4.單項選擇題各種檢測強度的最終計算或推定結(jié)果，砌體的抗壓強度和抗剪強度均應(yīng)精確至（）。
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
5.單項選擇題檢測數(shù)據(jù)中的歧離值和統(tǒng)計離群值，應(yīng)按《GB/T4883》中有關(guān)檢驗法檢出和剔除，檢出水平a應(yīng)?。ǎ?。
A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05
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鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題