單項選擇題砌筑砂漿應進行配合比設計，當砌體為燒結普通磚或蒸壓粉煤灰磚砌體時，其砂漿稠度應為（）。
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
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1.單項選擇題扁頂法的特點有（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)
B.直觀性，可比性強
C.砌體強度較高或軸向變形較大時，容易測出抗壓強度
D.檢測部位局部破損
2.單項選擇題砌筑基礎前，應校核防線尺寸，長度L或寬度B≤30m的尺寸允許偏差為（）。
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
3.單項選擇題各種檢測強度的最終計算或推定結果，砌體的抗壓強度和抗剪強度均應精確至（）。
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
4.單項選擇題檢測數(shù)據(jù)中的歧離值和統(tǒng)計離群值，應按《GB/T4883》中有關檢驗法檢出和剔除，檢出水平a應?。ǎ?。
A.0.02
B.0.03
C.0.04
D.0.05
5.單項選擇題燒結磚回彈法相鄰兩彈擊點的間距不應小于（），每一彈擊點應只能彈擊一次。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題