A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
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A.同一墻體的各測(cè)點(diǎn)之間，水平方向凈距不應(yīng)小于0.62m，垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m
B.每個(gè)測(cè)區(qū)隨機(jī)布置的，n個(gè)測(cè)點(diǎn)，在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個(gè)測(cè)點(diǎn)（試件）
C.試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為6～10mm
D.下列部位不應(yīng)布設(shè)測(cè)點(diǎn)：門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)，后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體；獨(dú)立磚柱和窗間墻
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
A.1/3
B.2/3
C.1/2
D.1/4
A.5萬(wàn)塊
B.10萬(wàn)塊
C.15萬(wàn)塊
D.20萬(wàn)塊
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）